FMG2G150US60E

FMG2G150US60E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G150US60E
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A/Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G150US60E
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 500 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-GA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 15
Другие названия товара № FMG2G150US60E_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BT1306-400D,412 BT1306-400D,412 NXP Semiconductors Триаки THYR AND TRIACS 244898.pdf
FSTMC6BL FSTMC6BL Panduit Волоконно-оптические соединители MULTIMODE SIMPLEX FIBER OPTIC ---
74AUP1G0832GW-G 74AUP1G0832GW-G NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 1.8V LOW-POW 3-INPUT AND-OR 8701841.pdf
MC100EP16VTDT MC100EP16VTDT --- Логические микросхемы ---
SSC-567A SSC-567A --- Инструменты ---