FMG2G150US60E

FMG2G150US60E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G150US60E
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A/Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G150US60E
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 500 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-GA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 15
Другие названия товара № FMG2G150US60E_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TD92N16/25KOF TD92N16/25KOF Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1600/2500V 160A ---
PD55003TR-E PD55003TR-E STMicroelectronics РЧ транзисторы, МОП-структура POWER R.F. 5476464.pdf
BBY 65-02V E6327 BBY 65-02V E6327 Infineon Technologies Варакторные диоды Silicon Tuning Diode 15V 50mA ---
NAO2M-SFP-LC NAO2M-SFP-LC Neutrik Волоконно-оптические соединители OPTICALCON ADAPTER TRANSCEIVER GRAY ---
MC14538BDWG MC14538BDWG --- Логические микросхемы ---