FMG2G150US60E

FMG2G150US60E
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G150US60E
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A/Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G150US60E
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 500 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-GA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 15
Другие названия товара № FMG2G150US60E_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3209EEUU-T MAX3209EEUU-T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5633832.pdf
TMS320VC5409PGE-80 TMS320VC5409PGE-80 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Fixed-Pt Dig Signal Proc 5945261.pdf
MPC8377ECVRALG MPC8377ECVRALG Freescale Semiconductor Микропроцессоры (MPU) PBGA W/ ENCR 6286221.pdf
CAT24WC03RI CAT24WC03RI --- Микросхемы памяти ---
AQV212 AQV212 --- Оптопары и оптроны ---