FMG2G150US60

FMG2G150US60
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G150US60
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Molding Type Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G150US60
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 595 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-HA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № FMG2G150US60_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP2892AEVB NCP2892AEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров NCP2892AEVB ---
THS4120IDRG4 THS4120IDRG4 Texas Instruments Специальные усилители Fully Differential CMOS 2197505.pdf
DAC7716SRHAR DAC7716SRHAR Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) Quad 12B Hi Acc +/- 15 VOut Ser Inp DAC 2696253.pdf
MCP4162-503E/MF MCP4162-503E/MF Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры Sngl 7B NV SPI Rheo 5052695.pdf
SP3073EEN-L SP3073EEN-L Exar ИС интерфейса RS-422/RS-485 RS485/RS422 Driver/ Receiver Transceiver 5859652.pdf