GB25RF120K
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | GB25RF120K | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through | ||
Производитель: | Vishay Semiconductors | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента GB25RF120K | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Array 7 |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | Econo 2 |
Упаковка | Bulk | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 6 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
AH212-S8PCB1960 | TriQuint Semiconductor | Радиочастотные средства разработки 1960MHz Eval Brd 26dB Gain | 922695.pdf922720.pdf |
|
||
TT162N16KOF-K | Infineon Technologies | Комплектные тиристорные устройства (SCR) PCT 1600V 162A | --- |
|
||
MAX3245ECAI | Maxim Integrated Products | ИС, интерфейс RS-232 | 5635175.pdf |
|
||
CD74HCT10ME4 | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input NAND Gate | 8268032.pdf |
|
||
CY7C09159AV-9AXC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|