GB10RF120K

GB10RF120K
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GB10RF120K
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 20 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
Производитель: Vishay Semiconductors
Спецификация:
Детальное описание компонента GB10RF120K
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Array 7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок Econo 2
Упаковка Bulk Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 6

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1410D DS1410D Maxim Integrated Products Вспомогательное оборудование для контактной памяти 1498898.pdf
AP-FM0256E30D5R-ETJ AP-FM0256E30D5R-ETJ Apacer Твердотельные накопители (SSD) ADM3 40P/90D ATA DISK MOD SLC 256M ET ---
MAX9724BETC+TG126 MAX9724BETC+TG126 Maxim Integrated Products Усилители звука 60mW DirectDrive Stereo Headphone Amplifier with Low RF Susceptibility and Shutdown ---
TC4S71FT5LFT TC4S71FT5LFT Toshiba Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-Input OR Gate 5Pin Standard 8728066.pdf
CMD28-21VYC/TR8 CMD28-21VYC/TR8 --- Светодиодная индикация ---