FMG2G200US60

FMG2G200US60
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G200US60
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Molding Type Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G200US60
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 695 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-HA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № FMG2G200US60_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1457630-2 1457630-2 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители FIBER PROTECTOR (12 PK) ---
LMH6704MA LMH6704MA National Semiconductor (TI) Специальные усилители 2228637.pdf
TPA321DGNR TPA321DGNR Texas Instruments Усилители звука 350-mW Low-Voltage w/diff inputs 4156179.pdf
74V1G08STR 74V1G08STR STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Single 2-Input AND 7983970.pdf7983971.pdf
MAX6441KALSWD3+T MAX6441KALSWD3+T --- Схемы управления питанием ---