FMG2G200US60

FMG2G200US60
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G200US60
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Molding Type Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G200US60
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 695 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-HA Упаковка Bulk
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № FMG2G200US60_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TL16C550DIPFB TL16C550DIPFB Texas Instruments ИС, интерфейс UART Async Communications Element 6115738.pdf
74LX1G86STR 74LX1G86STR STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Single Exclusive OR 8285116.pdf
TMS320C6747AZKB3 TMS320C6747AZKB3 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) TMS320C674X LOW POWER DSPS - FLOATING-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSOR ---
MAX4559CSE MAX4559CSE --- Коммутационные микросхемы ---
CMDA10BG7A1Y CMDA10BG7A1Y --- Светодиодная индикация ---