BSM400GA170DL

BSM400GA170DL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM400GA170DL
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 800A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM400GA170DL
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 800 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CAT5111P-00 CAT5111P-00 Catalyst (ON Semiconductor) ИС, цифровые потенциометры Com Temp 100K Up/Dwn 5260277.pdf
IS24C04A-3GI-TR IS24C04A-3GI-TR --- Микросхемы памяти ---
BD5329FVE-TR BD5329FVE-TR --- Схемы управления питанием ---
ERZ-VS34C471 ERZ-VS34C471 --- Варисторы ---
TM2S6-C0 TM2S6-C0 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---