BSM400GA170DL

BSM400GA170DL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM400GA170DL
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 800A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM400GA170DL
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 800 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BTS5562E BTS5562E Infineon Technologies LED Drivers 2nd Gen SPI PWR Ctrl for Adv Light Ctrl ---
SI4112M-EVB SI4112M-EVB Silicon Labs Радиочастотные средства разработки General Purpose EVALUATION BOARD ---
ATF22LV10C-10SI ATF22LV10C-10SI --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MX3AWT-A1-R250-000AE6 MX3AWT-A1-R250-000AE6 --- Светодиоды высокой мощности ---
B66310H0002X127 B66310H0002X127 --- ЭМП и РЧП ---