BSM150GB170DL

BSM150GB170DL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM150GB170DL
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 300A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM150GB170DL
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EVB-SCH3116 EVB-SCH3116 SMSC Interface Development Tools Eval BRD-SCH3116 ---
BAV20W-7-F BAV20W-7-F Diodes Inc. Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 150V 250mW 3589581.pdf3589603.pdf
2N6427G 2N6427G ON Semiconductor Transistors Darlington 500mA 50V NPN ---
USB2250-NU-XX USB2250-NU-XX SMSC ИС, интерфейс USB Ultra Fast USB 2.0 Flash Media CTRL 6304720.pdf
74LV138DB,118 74LV138DB,118 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 3 TO 8 LINE DECODER 2649004.pdf