BSM300GA120DN2S
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM300GA120DN2S | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM300GA120DN2S | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Single |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 430 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 320 nA |
Рассеяние мощности | 2500 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | 62MM | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
106168-0030 | Molex | Волоконно-оптические соединители SCD ADAP ZR FLNG SM BLACK FBCHANNEL | --- |
|
||
IS25C02-2ZLI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
CY2305SC-1 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
B72587E3200K000 | --- | Варисторы | --- |
|
||
710-0500 | --- | Аудио и видео разъемы | --- |
|