FP10R12NT3
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FP10R12NT3 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 18A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FP10R12NT3 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 18 A |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | EUPEC |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Stud | Размер фабричной упаковки | 16 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
106024-3000 | Molex | Волоконно-оптические соединители LC CONN MM127.0 1.6 7.0 1.6 CABLE BEIGE | 5904411.pdf |
|
||
LTS-547AE | --- | Светодиодные дисплеи | --- |
|
||
ML4805CS | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MAX6466UR44+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
XREWHT-L1-R250-00AB5 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|