F4-35R12NS4

F4-35R12NS4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: F4-35R12NS4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента F4-35R12NS4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок Econo 1
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 16

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGL41KHE3/75 RGL41KHE3/75 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1 Amp 800 Volt 500ns 4086992.pdf
WM8740SEDS/R WM8740SEDS/R Wolfson Microelectronics ИС ЦАП для аудиосигналов Stereo DAC High End 5927882.pdf
74AUP1G04GW,125 74AUP1G04GW,125 NXP Semiconductors Инвертеры 1.8V SINGLE INVERTER 5187121.pdf
LT Q39G-Q1S2-25-1-5 LT Q39G-Q1S2-25-1-5 --- Светодиодная индикация ---
EMVE630ADA470MHA0G EMVE630ADA470MHA0G --- Конденсаторы ---