FF150R12MT4

FF150R12MT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF150R12MT4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF150R12MT4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 195 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок Econo D
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MA.501.C.A301111.C305151 MA.501.C.A301111.C305151 Taoglas Антенны COMBO GPS/2.4GHZ HERCULES SCW MNT 258170.pdf
MAX537AEPE+ MAX537AEPE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit 4Ch Precision DAC 1272547.pdf
IR2117STRPBF IR2117STRPBF --- Схемы управления питанием ---
B59315P1080A62 B59315P1080A62 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
S-80825CNMC-B8K-T2 S-80825CNMC-B8K-T2 --- Схемы управления питанием ---