BSM300GA170DN2

BSM300GA170DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM300GA170DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 440A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM300GA170DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 440 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок 62MM
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AD446S-500F6 AD446S-500F6 Illumitex Светодиодные модули Horticulture F6 ---
LMC7225IM5 LMC7225IM5 National Semiconductor (TI) ИС, компараторы 9489254.pdf
74LVCH16646ADGVRE4 74LVCH16646ADGVRE4 --- Логические микросхемы ---
L9958XP L9958XP --- Схемы управления питанием ---
2029139-2 2029139-2 --- Прямоугольные разъемы ---