FF150R12KT3G

FF150R12KT3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF150R12KT3G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF150R12KT3G
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 225 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок 62MM
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si5310-C-GM Si5310-C-GM Silicon Labs Тактовые генераторы и продукция для поддержки Clock Mult/Regenratr 6306877.pdf
NA555DR NA555DR Texas Instruments Таймеры и сопутствующая продукция Prec Timers 6814952.pdf
SN74ABT16823DLG4 SN74ABT16823DLG4 Texas Instruments Триггеры 18-Bit Bus Interface F-F W/3-State Otpt 6600773.pdf
MAX6442KALSZD3+T MAX6442KALSZD3+T --- Схемы управления питанием ---
MAX747ESD-T MAX747ESD-T --- Схемы управления питанием ---