FF150R12KT3G
![]() |
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
Название: | FF150R12KT3G | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FF150R12KT3G | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 225 A |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | 62MM |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 10 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
|
Si5310-C-GM | Silicon Labs | Тактовые генераторы и продукция для поддержки Clock Mult/Regenratr | 6306877.pdf |
|
|
![]() |
NA555DR | Texas Instruments | Таймеры и сопутствующая продукция Prec Timers | 6814952.pdf |
|
|
![]() |
SN74ABT16823DLG4 | Texas Instruments | Триггеры 18-Bit Bus Interface F-F W/3-State Otpt | 6600773.pdf |
|
|
![]() |
MAX6442KALSZD3+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
![]() |
MAX747ESD-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|