BSM150GB170DN2

BSM150GB170DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM150GB170DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM150GB170DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 220 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 1.25 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LC4032ZE-7MN64I LC4032ZE-7MN64I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
912-460 912-460 --- Светодиодная индикация ---
4N49 4N49 --- Оптопары и оптроны ---
L77TWC8W8SMP2V4RRM6 L77TWC8W8SMP2V4RRM6 --- Субминиатюрные соединители ---
65780-053LF 65780-053LF --- Прямоугольные разъемы ---