F4-75R12MS4
|
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
||
| Название: | F4-75R12MS4 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Цены: | Розн.77,5425$ | ||
| Детальное описание компонента F4-75R12MS4 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Quad |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | Econo D |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | order_2_3week | 1 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF8P23160WHR3 | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 2.3GHz 160W NI780-4 | --- |
|
|
 |
SST27SF010-90-3C-WH | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MX6SWT-H1-0000-000AAA | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
|
|
|
19027-0113 | --- | Инструменты | --- |
|
|
|
|
1600509 | --- | Цилиндрические разъемы | --- |
|