FS75R12KE3G

FS75R12KE3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FS75R12KE3G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FS75R12KE3G
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 355 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 3B Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FGH60N6S2 FGH60N6S2 Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Sgl 600V N-Ch ---
THS3121CDGN THS3121CDGN Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Sngl Lo-Noise Hi-Out Current-Feedback 1185539.pdf
TMS320F28335ZJZQ TMS320F28335ZJZQ Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Digital Signal Controller 6012379.pdf
MAX1901EAI MAX1901EAI --- Схемы управления питанием ---
SSI-LXH55HGW SSI-LXH55HGW --- Светодиодная индикация ---