BSM35GD120DLCE3224

BSM35GD120DLCE3224
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM35GD120DLCE3224
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM35GD120DLCE3224
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 70 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 280 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Упаковка Reel
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ICL7109IQH+D ICL7109IQH+D Maxim Integrated Products Драйверы дисплея ---
CPWRX-SM-123 CPWRX-SM-123 GHI Electronics Одноплатные компьютеры CHIPWORKX MODULE .net MICRO FRAMEWORK 9027069.pdf
TDA8543TD TDA8543TD NXP Semiconductors Усилители звука 1.4W BTL AUDIO AMP 5607877.pdf
QTLP610COTR QTLP610COTR --- Светодиодная индикация ---
08010 08010 --- Панельные измерительные приборы ---