DF400R12KE3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | DF400R12KE3 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента DF400R12KE3 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Single |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 580 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | 62MM |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MIAA10WB600TMH | Ixys | Дискретные полупроводниковые модули 10 Amps 600V | 4566305.pdf |
|
|
 |
CAT525PI | Catalyst (ON Semiconductor) | ИС, цифровые потенциометры Ind Temp 28K 3-Wire | 5259435.pdf |
|
|
|
|
CY7C1514AV18-200BZI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
GAL22V10D-15LPI | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
|
|
|
1CU20L | --- | Автоматические выключатели | --- |
|