FP100R12KT4

FP100R12KT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FP100R12KT4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FP100R12KT4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок Econo 3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RN1403T5LFT RN1403T5LFT Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG ---
OPA2684IDCNR OPA2684IDCNR Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Dual Low Power Current Feedback 1226712.pdf
4410.0159 4410.0159 --- Автоматические выключатели ---
3785-12-0 3785-12-0 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
300AWSP2J6BLKVS21RE 300AWSP2J6BLKVS21RE --- Переключатели ---