FF600R12KE3

FF600R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF600R12KE3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF600R12KE3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 850 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 2.8 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NUS2401SNT1G NUS2401SNT1G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 200mA 50V Integrated NPN/PNP ---
UC3874N-2 UC3874N-2 --- Схемы управления питанием ---
3CU05L 3CU05L --- Автоматические выключатели ---
ACF451832-333-TD01 ACF451832-333-TD01 --- ЭМП и РЧП ---
1988147 1988147 --- Клеммные колодки ---