FF800R17KF6C_B2

FF800R17KF6C_B2
Кол-во:
Заказать
На складе
Название: FF800R17KF6C_B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.1115$
Детальное описание компонента FF800R17KF6C_B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1300 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 6.25 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MX6AWT-H1-0000-0008Z6 MX6AWT-H1-0000-0008Z6 --- Светодиоды высокой мощности ---
74AHCT245D,112 74AHCT245D,112 --- Логические микросхемы ---
380932F 380932F --- Мультиметры и вольтметры ---
K42X-E15S/S-A4NR K42X-E15S/S-A4NR --- Субминиатюрные соединители ---
516-020-000-402 516-020-000-402 --- Прямоугольные разъемы ---