FF800R17KF6C_B2
|
Кол-во:
Заказать На складе
|
||
| Название: | FF800R17KF6C_B2 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Цены: | Розн.1115$ | ||
| Детальное описание компонента FF800R17KF6C_B2 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1300 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Рассеяние мощности | 6.25 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка / блок | IHM | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
| Размер фабричной упаковки | 2 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC7SG02FU(T5L,F,T) | Toshiba | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-Input NOR Gate 5Pin LVP Series | 8098871.pdf |
|
|
|
|
AS7C3256A-15TINTR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AUIPS6041G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
100526-J-08-AM | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|
|
|
|
15532 | --- | Продукты для создания прототипов | --- |
|