FF800R17KF6C_B2

FF800R17KF6C_B2
Кол-во:
Заказать
На складе
Название: FF800R17KF6C_B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.1115$
Детальное описание компонента FF800R17KF6C_B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1300 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 6.25 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FDC37B782-NS FDC37B782-NS SMSC ИС, контроллер интерфейса ввода вывода Enhanced Super I/O Controller- Pb Free 9456535.pdf
74AC374PC 74AC374PC Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Type Flip-Flop 7894324.pdf
MAX6442KADHSD3+T MAX6442KADHSD3+T --- Схемы управления питанием ---
125049/Y 125049/Y --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
V30MLA1210LWA V30MLA1210LWA --- Варисторы ---