FP50R12KT4_B11
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FP50R12KT4_B11 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FP50R12KT4_B11 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Array 7 |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | Econo 2 |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SN74LVC1G86DBVT | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) SNGL 2 Input Exclusive OR Gate | 8087524.pdf |
|
|
 |
24C02C/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
FM93C66LZM8 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
LDT-C514RI | --- | Светодиодные дисплеи | --- |
|
|
|
|
20835 | --- | Инструменты | --- |
|