BSM150GB120DN2_E3166

BSM150GB120DN2_E3166
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM150GB120DN2_E3166
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 210A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM150GB120DN2_E3166
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 210 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок 62MM
Упаковка Reel Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
24LC01B/SN 24LC01B/SN --- Микросхемы памяти ---
CAT28LV64W-25T CAT28LV64W-25T --- Микросхемы памяти ---
STK14C88-3NF45 STK14C88-3NF45 --- Микросхемы памяти ---
LM337H LM337H --- Схемы управления питанием ---
HPCPK3B HPCPK3B --- Аудио и видео разъемы ---