FF400R12KE3_B2
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FF400R12KE3_B2 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FF400R12KE3_B2 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 580 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | 62MM |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 10 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
27294 | Parallax | Макетные платы и комплекты - другие процессоры BS2SX-OEM ASSEMBLED | --- |
|
|
|
|
RGP30DHE3/73 | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 200 Volt 3.0A 150ns 125 Amp IFSM | 3760198.pdf |
|
|
 |
MC74VHC1GT08DTT1 | ON Semiconductor | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3-5.5V Single AND | --- |
|
|
|
|
SST39VF080-70-4C-EI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
CY7C1426JV18-300BZXC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|