BSM300GA170DN2_E3166

BSM300GA170DN2_E3166
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM300GA170DN2_E3166
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 440A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM300GA170DN2_E3166
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 440 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок 62MM
Упаковка Reel Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TL16C550DZQSR TL16C550DZQSR Texas Instruments ИС, интерфейс UART Asynch Comm Element 6190242.pdf
SN74HC257DTE4 SN74HC257DTE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Quad 2-to-1 Data Slct/Mltpx W/3St Otp 3319255.pdf
24AA08/SN 24AA08/SN --- Микросхемы памяти ---
MC14053BCPG MC14053BCPG --- Коммутационные микросхемы ---
2P18U3/28 2P18U3/28 --- Автоматические выключатели ---