BSM150GB120DLC

BSM150GB120DLC
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM150GB120DLC
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM150GB120DLC
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 1.25 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAS19,235 BAS19,235 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-11 3717988.pdf
PDTA113EE,115 PDTA113EE,115 NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 9528664.pdf
INA201AIDGKTG4 INA201AIDGKTG4 --- Схемы управления питанием ---
PM53-YGW5.5CC PM53-YGW5.5CC --- Светодиодная индикация ---
L24DE27P4X1H155 L24DE27P4X1H155 --- Аудио и видео разъемы ---