FF225R12MS4

FF225R12MS4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF225R12MS4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF225R12MS4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 275 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок Econo D
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 12

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1N5622/4 1N5622/4 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 1000 Volt 4163124.pdf
HGTP7N60C3D HGTP7N60C3D Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series 9315895.pdf
LM339APWRE4 LM339APWRE4 Texas Instruments ИС, компараторы Quad Differential Comparator 9495445.pdf
MPC8245LVV333D MPC8245LVV333D Freescale Semiconductor Микропроцессоры (MPU) INTEGRATED HOST PROC ---
MAX6441KAKSTD3-T MAX6441KAKSTD3-T --- Схемы управления питанием ---