FZ300R12KE3B1G

FZ300R12KE3B1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ300R12KE3B1G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ300R12KE3B1G
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Single Dual Collector Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 480 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок 62MM
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM380N/NOPB LM380N/NOPB National Semiconductor (TI) Усилители звука 2.5W AUDIO POWER AMP 3211946.pdf
DAC7744EC/1KG4 DAC7744EC/1KG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Quad Voltage Output 1965711.pdf
CAT25C16PI CAT25C16PI --- Микросхемы памяти ---
NB-0625-4300-2C NB-0625-4300-2C --- Гибкие осветительные полосы ---
SiT8103AI-12-25E-30.00000 SiT8103AI-12-25E-30.00000 --- Контроль частоты и таймеры ---