FF100R12KS4

FF100R12KS4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF100R12KS4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF100R12KS4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 780 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок 62MM Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EVAL6208Q EVAL6208Q STMicroelectronics Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием PowerSPIN L6208Q Dual Full Bridge DRV 9739898.pdf
ST72345-D/RAIS ST72345-D/RAIS STMicroelectronics Дочерние и отладочные платы 8 BITS MICROCONTR ---
NE3512S02-T1D-A NE3512S02-T1D-A CEL РЧ транзисторы на арсениде галлия SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET 5404948.pdf
SN74AUP1G97DRLR SN74AUP1G97DRLR Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Lo Pwr Cnfgrble Mult Function Gate 8076651.pdf
LM2674LD-3.3 LM2674LD-3.3 --- Схемы управления питанием ---