FF1200R17KE3_B2

FF1200R17KE3_B2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF1200R17KE3_B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.7KA
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF1200R17KE3_B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual Dual Collector Dual Emitter
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1700 A
Максимальная рабочая температура + 125 C Упаковка / блок IHM130
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX275BCWP+T MAX275BCWP+T Maxim Integrated Products Active Filter 4th & 8th Order Continuous-Time 9274935.pdf
586-220C-203F 586-220C-203F Dialight LED Источники света, не содержащие нитей накаливания WEDGE BASE T 3 1/4 W ---
MAX13444EASA/V+T MAX13444EASA/V+T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-485 +/-80V Fault Protected RS-485 Half-Duplex Transceiver with Foldback Current Limit ---
CD4001BMTE4 CD4001BMTE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS Quad 2-Input NOR Gate 8250330.pdf
LCW W51M-HZJZ-4R9T-Z LCW W51M-HZJZ-4R9T-Z --- Светодиоды высокой мощности ---