FP35R12KT4_B11
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FP35R12KT4_B11 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FP35R12KT4_B11 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | Econo 2 |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
RSX1001T3 | ROHM Semiconductor | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE; SCHOTTKY POWER TYPE | 3768362.pdf |
|
||
BCP 56-16 E6327 | Infineon Technologies | Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Silicon AF TRANSISTOR | --- |
|
||
CS4272-DZZ | Cirrus Logic | Аудио-КОДЕКи Stereo Audio CODEC 114 dB 192 kHz | 5789217.pdf |
|
||
DS1807 | Maxim Integrated Products | ИС, цифровые потенциометры | 5167222.pdf |
|
||
LTP-2057AG | --- | Светодиодные дисплеи | --- |
|