FP35R12KT4_B11

FP35R12KT4_B11
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FP35R12KT4_B11
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FP35R12KT4_B11
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок Econo 2
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RSX1001T3 RSX1001T3 ROHM Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE; SCHOTTKY POWER TYPE 3768362.pdf
BCP 56-16 E6327 BCP 56-16 E6327 Infineon Technologies Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Silicon AF TRANSISTOR ---
CS4272-DZZ CS4272-DZZ Cirrus Logic Аудио-КОДЕКи Stereo Audio CODEC 114 dB 192 kHz 5789217.pdf
DS1807 DS1807 Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 5167222.pdf
LTP-2057AG LTP-2057AG --- Светодиодные дисплеи ---