FF800R12KE3

FF800R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF800R12KE3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF800R12KE3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1200 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 3.9 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IXSH30N60B2D1 IXSH30N60B2D1 Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V 2.5 Rds 9340272.pdf
553-0120-803F 553-0120-803F --- Светодиодная индикация ---
LM4041CIM3-1.2-T LM4041CIM3-1.2-T --- Схемы управления питанием ---
B59870C0120A054 B59870C0120A054 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
MCTC2450JLA-E MCTC2450JLA-E --- Оптопары и оптроны ---