FF800R12KE3

FF800R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF800R12KE3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF800R12KE3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1200 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 3.9 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CDB4391A CDB4391A Cirrus Logic Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Eval Bd CS4391A 9261038.pdf
1N4934GPEHE3/91 1N4934GPEHE3/91 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 100 Volt 200ns 30 Amp IFSM 3806179.pdf
MAX9719BETE MAX9719BETE Maxim Integrated Products Усилители звука 4810393.pdf
IS42S32400E-7BL IS42S32400E-7BL --- Микросхемы памяти ---
103-1216-403 103-1216-403 --- Лампы и держатели ---