BSM100GB170DN2

BSM100GB170DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GB170DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM100GB170DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 145 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 1 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HDM24216L-2-L30S HDM24216L-2-L30S Hantronix Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Yellow Transflective Yellow LED Backlight 4818091.pdf4818156.pdf
74LVC574ABQ-G 74LVC574ABQ-G NXP Semiconductors Триггеры OCTAL D-TYPE 7871074.pdf
MC74ACT132N MC74ACT132N ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 5V Quad 2-Input ---
YPBL9.40T YPBL9.40T --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
MA692R0CAB MA692R0CAB --- Конденсаторы ---