FF450R12ME3

FF450R12ME3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF450R12ME3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF450R12ME3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 2100 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoDUAL-3 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 12

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M28W320CT90ZB6 M28W320CT90ZB6 --- Микросхемы памяти ---
162GB16E1208PF 162GB16E1208PF --- Цилиндрические разъемы ---
09670029056 09670029056 --- Субминиатюрные соединители ---
307-018-531-101 307-018-531-101 --- Прямоугольные разъемы ---
Y92E-E18 Y92E-E18 --- Промышленные контроллеры ---