GB200TS60NPBF
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | GB200TS60NPBF | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 209 Amp 600 Volt Half-Bridge | ||
Производитель: | Vishay | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента GB200TS60NPBF | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 209 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | INT-A-PAK |
Упаковка | Bulk | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 15 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
P1013NSN2HFB | --- | Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC | --- |
|
||
M24128-BRDW6T | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX6441KAAJSD3-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MAX1957EUB+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
UCC28500N | --- | Схемы управления питанием | --- |
|