FP15R12YT3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FP15R12YT3 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FP15R12YT3 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Array 7 |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | EASY2 |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 4 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si8652BD-B-IS | Silicon Labs | ИС, развязывающий интерфейс 5 Ch 5.0 kV Isolator 150M 3/2 WB | 7717919.pdf |
|
|
 |
SC28L92A1BS-F | NXP Semiconductors | ИС, интерфейс UART 3V-5V 1CH UART INTEL/MOT INTRF | --- |
|
|
|
|
TDK5111 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
U4793B-MFPG3Y | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
MAX4522EEE-T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|