FS10R12VT3
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FS10R12VT3 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FS10R12VT3 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | EASY750 |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 8 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
T1590N24TOF VT | Infineon Technologies | Комплектные тиристорные устройства (SCR) PCT 2400V 1590A | --- |
|
||
ZTX614 | Fairchild Semiconductor | Transistors Darlington Low Sat Transistor | 9415231.pdf |
|
||
SN74LS00DRG4 | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2 input pos NAND gates | 8191008.pdf |
|
||
74AUP1G11GM-G | NXP Semiconductors | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 1.8V 1G LOW-PWR 3-INPUT AND | --- |
|
||
CAT25C32U14-1.8 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|