BSM30GD60DLC

BSM30GD60DLC
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM30GD60DLC
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM30GD60DLC
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 135 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок EconoPACK 2A Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TIC253M-S TIC253M-S Bourns Триаки 600V 20A TRIAC 241730.pdf
LM4990LDX LM4990LDX National Semiconductor (TI) Audio Amplifiers 4700889.pdf
SSL-LX3054GD/R SSL-LX3054GD/R --- Светодиодная индикация ---
101111-008 101111-008 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
175101-R2-11.00 175101-R2-11.00 --- Интерконнекторы ---