BSM75GB120DN2

BSM75GB120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM75GB120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM75GB120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 625 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPA701DGNRG4 TPA701DGNRG4 Texas Instruments Усилители звука 700-mW Low-Voltage 3924154.pdf
SN74HC20DBRG4 SN74HC20DBRG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Dual 4 Input POS NAND Gates 8385268.pdf
SP3226EEA-L/TR SP3226EEA-L/TR Exar Функции универсальной шины RS-232 Transceiver w/Auto On-Line Plus 5594768.pdf
LFXP20E-5FN256C LFXP20E-5FN256C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
B57560G103H B57560G103H --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---