FP10R12W1T3
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FP10R12W1T3 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FP10R12W1T3 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Array 7 |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | EASY1B |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
PQ1AS20A0K | Sharp Microelectronics | LED Drivers AC Driver 110V 3W-type | --- |
|
||
1321XCSK-BDM | Freescale Semiconductor | Средства разработки Zigbee / 802.15.4 1321X STARTER KIT FOR CO | --- |
|
||
DS19540-40P/RING135 | Maxim Integrated Products | Вспомогательное оборудование для контактной памяти | --- |
|
||
RN4985FS(TPL3) | Toshiba | Transistors Switching (Resistor Biased) 2.2K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP | 9508905.pdf |
|
||
1512135UG3 | Chicago Miniature | LED Источники света, не содержащие нитей накаливания Green 24DC Midget Groove Based | 6463514.pdf6463517.pdf |
|