DDB6U25N16VR
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | DDB6U25N16VR | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента DDB6U25N16VR | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Single |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Упаковка / блок | EASY750 |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 8 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS41LV16257B-35K | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
24AA65T/SMG | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
BQ25015RHLT | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
901-055 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
APTF1616QBDSURKCGKC | --- | Светодиодная индикация | --- |
|