FZ1200R12KL4C

FZ1200R12KL4C
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: FZ1200R12KL4C
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.180$
Детальное описание компонента FZ1200R12KL4C
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1900 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 7.8 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8 order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NR1 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала 1990MHZ 12W ---
TSMP77000TT TSMP77000TT Vishay Semiconductors Инфракрасные приемники IR SENSR 20-60kHz 3D Glasses Code Learn'g 6216140.pdf
TMS320VC5410GGW100 TMS320VC5410GGW100 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Dig Signal Proc 6096670.pdf
TPS2413DG4 TPS2413DG4 --- Схемы управления питанием ---
ispLSI 2128A-80LQN160 ispLSI 2128A-80LQN160 --- Программируемые логические интегральные схемы ---