FZ1200R12KL4C

FZ1200R12KL4C
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: FZ1200R12KL4C
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.180$
Детальное описание компонента FZ1200R12KL4C
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1900 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 7.8 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8 order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
COP8-REF-SGR COP8-REF-SGR National Semiconductor (TI) Макетные платы и комплекты - другие процессоры COP8SGR REF DESIGN ---
TISP4070M3AJR-S TISP4070M3AJR-S Bourns Сидаки 178854.pdf
MP1588EN-LF MP1588EN-LF --- Схемы управления питанием ---
IRAM136-3063B IRAM136-3063B --- Схемы управления питанием ---
ICT-075-Y-7-G-S S/C ICT-075-Y-7-G-S S/C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---