FZ1200R12KL4C

FZ1200R12KL4C
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: FZ1200R12KL4C
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.180$
Детальное описание компонента FZ1200R12KL4C
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1900 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 7.8 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130 Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 8 order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GBPC3502_Q GBPC3502_Q Fairchild Semiconductor Мостовые выпрямители 35A Bridge Rectifier 3320978.pdf
MAX973CUA+T MAX973CUA+T Maxim Integrated Products ИС, компараторы Dual Comparator / Reference 9519810.pdf
MAX5428EUA+T MAX5428EUA+T Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры 32-Tap One-Time Programmable 5060231.pdf
UJA1069TW24/5V0-T UJA1069TW24/5V0-T NXP Semiconductors Линейные интегральные трансиверы LIN TRANSCEIVERS BASIS CHIPS ---
dsPIC33FJ128MC506-I/PT dsPIC33FJ128MC506-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 40MIPS 128KB 5819903.pdf5819916.pdf