2PS12012E33G30875
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2PS12012E33G30875 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2PS12012E33G30875 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAT5128TBI-10-G | ON Semiconductor | ИС, цифровые потенциометры DPP NV 32 Tap U/D | --- |
|
|
|
|
CY2XP304BVC | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
H-312C | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
MX-UK2 | --- | Инструменты | --- |
|
|
|
|
221543-2 | --- | Интерконнекторы | --- |
|