F4-75R06W1E3

F4-75R06W1E3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: F4-75R06W1E3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента F4-75R06W1E3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок EASY1B
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3736EVKIT MAX3736EVKIT Maxim Integrated Products Аппаратный драйвер лазера 3.2Gbps Low-Power Compact SFP Аппаратный драйвер лазера ---
F1827CAD1200 F1827CAD1200 Crydom Дискретные полупроводниковые модули MOD DIODE 25A 480VAC 4372933.pdf
2N5638RLRA 2N5638RLRA ON Semiconductor JFET 30V 10mA ---
CS3310-KSZR CS3310-KSZR Cirrus Logic Усилители звука IC Stereo Digital Volume Control ---
TMS320C6412AZDK7 TMS320C6412AZDK7 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Fixed-Pt Dig Signal Proc 6012427.pdf