BSM10GD120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM10GD120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4660028.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM10GD120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 15 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 120 nA |
Рассеяние мощности | 80 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
CDC351IDWRG4 | Texas Instruments | Тактовый буфер 1 to 10-Line 3.3V Clock Driver | 6174779.pdf |
|
||
CDCU877ZQLR | Texas Instruments | Синхронизаторы и распределители тактового сигнала 1.8v PLL Clock Driver | 6234872.pdf |
|
||
HCPL-4504-520E | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
||
17EHD078SAM030 | --- | Субминиатюрные соединители | --- |
|
||
51711-004LF | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|