BSM10GD120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM10GD120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4660028.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM10GD120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 15 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 120 nA |
Рассеяние мощности | 80 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
IRKLF200-12HK | Vishay Semiconductors | Модули КТУ (SCR) 1200 Volt 200 Amp | --- |
|
||
LM78L05ACM | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MV5075C | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
4251-000LF | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|
||
28587 | --- | Инструменты | --- |
|