BSM150GT120DN2

BSM150GT120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM150GT120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.414,8$
Детальное описание компонента BSM150GT120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 1.25 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
order_2_3week 2
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
dsPIC33FJ128MC204-I/PT dsPIC33FJ128MC204-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16B DSC 128KB DMA 40MIPS 5872917.pdf5872918.pdf
PMR4YD PMR4YD --- Светодиодная индикация ---
MVBP35VC10RMF55TP MVBP35VC10RMF55TP --- Конденсаторы ---
WDH60 WDH60 --- Инструменты ---
162GB16E1007PE714 162GB16E1007PE714 --- Цилиндрические разъемы ---