BSM150GT120DN2
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM150GT120DN2 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.414,8$ | ||
Детальное описание компонента BSM150GT120DN2 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 320 nA |
Рассеяние мощности | 1.25 KW | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 3A | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 10 |
order_2_3week | 2 | ||
order_2_3week | 1 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
UCC5617DWPG4 | Texas Instruments | ИС интерфейса SCSI Lowest Capacitance 18-Line 5V SE | 6063099.pdf |
|
||
MAX4699EGE | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
XPEWHT-L1-R250-00D08 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
||
0518-002-A-5.0-30LF | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
HF30ACB453215-T | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|