BSM150GT120DN2

BSM150GT120DN2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: BSM150GT120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.414,8$
Детальное описание компонента BSM150GT120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A Ток утечки затвор-эмиттер 320 nA
Рассеяние мощности 1.25 KW Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 3A Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 10
order_2_3week 2
order_2_3week 1

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OTX-418-HH-LR8-HS OTX-418-HH-LR8-HS Linx Technologies Радиочастотные модули HS 8Button LongRange Handhld Trans 418MHz 1981854.pdf
BT137X-800,127 BT137X-800,127 NXP Semiconductors Триаки RAIL TRIAC 225644.pdf
MAX991EKA+T MAX991EKA+T Maxim Integrated Products ИС, компараторы Dual uPower Comparator 9486159.pdf
Si8651BC-B-IS1 Si8651BC-B-IS1 Silicon Labs ИС, развязывающий интерфейс 5 Ch 3.75 kV Isolator 150M 4/1 NB 7715714.pdf
74VCX16374G 74VCX16374G Fairchild Semiconductor Триггеры D-Type Flip Flop LV 16Bit ---