F4-30R06W1E3

F4-30R06W1E3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: F4-30R06W1E3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 48A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента F4-30R06W1E3
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Quad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок EASY1B
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMBF5462 MMBF5462 Fairchild Semiconductor JFET P-Channel Transistor General Purpose 9353928.pdf9353933.pdf
TJA1054T/N1,512 TJA1054T/N1,512 NXP Semiconductors ИС, сетевые контроллеры и процессоры CAN XCVR FAULT-TOL 9596545.pdf
MX7228KP+ MX7228KP+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 8Ch Precision DAC 2467343.pdf
1694S6 0001000 1694S6 0001000 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---
29503 0101000 29503 0101000 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---