BSM25GD120DLCE3224
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM25GD120DLCE3224 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM25GD120DLCE3224 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 200 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2A | Упаковка | Reel |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
XBP24BZ7B-DK-W | Digi International | Средства разработки Zigbee / 802.15.4 XBee-PRO ZB Internat -ional Prograble Mod | --- |
|
||
IXGT24N60B | Ixys | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600 V 1.7 V Rds | --- |
|
||
J310-E3 | Vishay/Siliconix | JFET 25V 24mA | --- |
|
||
TC682COA713 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
LM2650M-ADJ/NOPB | --- | Схемы управления питанием | --- |
|