BSM25GD120DLCE3224
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM25GD120DLCE3224 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM25GD120DLCE3224 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 200 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | EconoPACK 2A | Упаковка | Reel |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
AP-FM016GE30S5R-JT | Apacer | Твердотельные накопители (SSD) ADM3 40P/90D ATA DISK MOD SLC 16GB ST | --- |
|
||
CY7C1545KV18-450BZC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
TQ3M31 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
EDC-05-040-NCC-501522 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|
||
2702160 | --- | Клеммные колодки | --- |
|