BSM100GB120DN2K
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM100GB120DN2K | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4651325.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM100GB120DN2K | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Half Bridge Module |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 145 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 700 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | Half Bridge1 | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
SLUFD128MU1U-A | STEC | USB-флэш-накопители 128MB USB FLASHDRIVE USB Thumb Drive | 1881687.pdf |
|
||
MAX1709EUI/GG8 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
74LVC1G66GW-R | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
E3S-BR61 | --- | Оптические детекторы и датчики | --- |
|
||
WSXs-SOFTCASE | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|