BSM100GB120DN2K

BSM100GB120DN2K
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GB120DN2K
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4651325.pdf
Детальное описание компонента BSM100GB120DN2K
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 145 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 700 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge1 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DM74ALS257MX DM74ALS257MX --- Логические микросхемы ---
PTMA080304M V1 PTMA080304M V1 --- RF Semiconductors ---
74LVC1G3157DRYRG4 74LVC1G3157DRYRG4 --- Коммутационные микросхемы ---
B57164K0470K052 B57164K0470K052 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
5273C SL005 5273C SL005 --- Многожильные кабели и кабели парной скрутки ---