BSM35GD120DN2E3224

BSM35GD120DN2E3224
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM35GD120DN2E3224
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM35GD120DN2E3224
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
Рассеяние мощности 280 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок EconoPACK 2 Упаковка Reel
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCF8576CH/1,118 PCF8576CH/1,118 NXP Semiconductors Аппаратные драйверы ЖКД 160 SEGMENT LCD SEGMENT DRIVER ---
MID550-12A4 MID550-12A4 Ixys Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V ---
DS1110LE-350+ DS1110LE-350+ Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы 3V 10-Tap Silicon Delay Line 6621355.pdf
TMS320LBC53SPZA57 TMS320LBC53SPZA57 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 320C53SX/100TQFP/57MHZ/3V/BOOT/EXT TEMP ---
2743007112 2743007112 --- ЭМП и РЧП ---